財(cái)聯(lián)社7月18日電，集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的核心基礎(chǔ)。近年來(lái)，隨著硅基芯片性能逐步逼近物理極限，開(kāi)發(fā)新型高性能、低能耗半導(dǎo)體材料，成為全球科技研發(fā)熱點(diǎn)。其中，二維層狀半導(dǎo)體材料硒化銦因遷移率高、熱速度快等優(yōu)良性能，被視為有望打破硅基物理限制的新材料。由北京大學(xué)、中國(guó)人民大學(xué)科研人員組成的研究團(tuán)隊(duì)歷經(jīng)四年攻關(guān)，首創(chuàng)一種“蒸籠”新方法，首次在國(guó)際上成功實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量硒化銦材料的晶圓級(jí)集成制造，并研制出核心性能超越3納米硅基芯片的晶體管器件。該成果18日在線發(fā)表于《科學(xué)》雜志。