財聯(lián)社4月24日訊（編輯 劉蕊）美東時間周三（4月23日），臺積電在美國的北美技術(shù)研討會上發(fā)布了其1.4納米級半導(dǎo)體工程技術(shù)A14，并承諾該技術(shù)將在性能、功耗和晶體管密度方面，相較于其N2（2納米級）工藝帶來顯著提升。

這將進(jìn)一步鞏固臺積電在芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)先地位，并進(jìn)一步拉大與英特爾等競爭對手的差距。

臺積電公布1.4nm芯片技術(shù)制造工藝

A14是臺積電的下一世代制程技術(shù)。臺積電稱，其表現(xiàn)將明顯超越當(dāng)前最先進(jìn)的3納米制程，以及今年晚些時候即將量產(chǎn)的2納米制程。

臺積電稱，該技術(shù)旨在通過提供更快的計算速度和更高的能效來推動人工智能轉(zhuǎn)型，此外，它還有望通過提升智能手機(jī)的內(nèi)置AI功能，使其更加智能。

據(jù)臺積電公布的數(shù)據(jù)顯示，與即將于今年晚些時候量產(chǎn)的N2工藝相比，A14將在相同功耗下實現(xiàn)高達(dá)15%的速度提升，或在相同速度下降低高達(dá)30%的功耗，同時邏輯密度將提升20%以上。

臺積電聲稱，A14計劃于2028年投產(chǎn)，目前開發(fā)進(jìn)展順利，良率已提前實現(xiàn)。

臺積電董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家表示：

“我們的客戶始終著眼于未來，而臺積電的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力和卓越的制造能力為他們提供了可靠的創(chuàng)新路線圖。臺積電的尖端邏輯技術(shù)（例如A14）是連接物理世界和數(shù)字世界的全面解決方案的一部分，旨在釋放客戶的創(chuàng)新潛能，推動人工智能的未來發(fā)展?！?/p>

展望未來，臺積電還計劃依次推出A14P、A14X、A14C等多種版本的衍生工程技術(shù)，其中， A14P是包括背側(cè)電力供應(yīng)在內(nèi)的高性能版本，A14X和A14C將分別以性能最優(yōu)化型和成本節(jié)省型模式進(jìn)行優(yōu)化。

此外，臺積電還計劃在2026年底推出A16制程，即采用1.6nm的制程技術(shù)。